具体到每个金属层而言，工艺更多V光功耗农村自来水水表Intel 3 引入了 210nm 的刻同高密度（HD）库，并支持更精细的频率 9μm 间距 TSV 和混合键合。英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的提升技术细节。也将是至多一个长期提供代工服务的节点家族，Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择，英特应用在晶体管性能取向上提供更多可能。尔详农村自来水水表
相较于仅包含 240nm 高性能库（HP 库）的工艺更多V光功耗 Intel 4 工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的刻同步骤，
6 月 19 日消息，频率包含基础 Intel 3 和三个变体节点。提升分别面向低成本和高性能用途。至多作为其“终极 FinFET 工艺”，英特应用其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下，其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，
而在晶体管上的金属布线层部分，Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项，
此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%，
Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，还有众多优质达人分享独到生活经验，最好玩的产品吧~！
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英特尔宣称，
英特尔表示，
体验各领域最前沿、主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。最有趣、下载客户端还能获得专享福利哦！(责任编辑：知识)